Características de los transistores de efecto de campo (FET)

Escrito por chuck robert | Traducido por priscila caminer
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Características de los transistores de efecto de campo (FET)
Los componentes electrónicos, sistemas y dispositivos se basan en el semiconductor. (Hemera Technologies/AbleStock.com/Getty Images)

Los componentes electrónicos, sistemas y dispositivos se basan en el semiconductor. El semiconductor es una sustancia que conduce la electricidad bajo ciertas condiciones. El transistor de unión se hace a partir de tres regiones semiconductoras dopadas, que son semiconductores con átomos extranjeros añadidos. El transistor de unión era la causa principal de la revolución de la electrónica de estado sólido. Un tipo de transistor es el transistor de efecto de campo de unión.

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Alta Impedancia de entrada

El transistor de campo de unión tiene una alta impedancia de entrada, lo que significa que tiene resistencia a las corrientes eléctricas. La alta impedancia de entrada minimiza la interferencia que los dispositivos reciben. Los transistores de efecto de campo de unión pueden formar circuitos amplificadores. Los transistores de efecto de campo son superiores a los transistores de unión bipolar en este sentido a causa de la impedancia de entrada.

Materiales de tipo N y P

El transistor de campo de unión tiene dos materiales: un material de tipo n, construido a partir de una barra y una zona de sombra de un material de tipo p. El material de tipo n tiene átomos dopados que pueden ceder electrones adicionales al material conductor. Los materiales de tipo P toman los electrones con uniones débiles a partir de átomos en el semiconductor. El material de tipo n sirve como una resistencia, un dispositivo que resiste a corrientes eléctricas. Las corrientes que fluyen a través del material consisten en electrones en el material de tipo n.

Comparación con transistores de unión bipolar

Los transistores de efecto de campo son similares a los transistores de unión bipolar. Sin embargo, el transistor de efecto de campo tiene algunas ventajas sobre el transistor de unión bipolar. Los transistores de efecto de campo funcionan al instante, de manera eficiente y económica. Los ingenieros pueden hacer transistores de efecto campo más pequeños que los transistores de unión bipolar. Los transistores de efecto de campo utilizan muy poca energía y tienen disipación de potencia mínima. Dado que los transistores de efecto de campo tienen una alta entrada, no son dañados por la electricidad estática tan a menudo como los son los transistores de unión bipolar.

Terminales

El transistor de efecto de campo tiene dos terminales llamados "fuga" y "fuente". Entre estos dos terminales, no hay "uniones pn", estos son los límites entre los materiales de tipo p y los de tipo n. La trayectoria de la corriente se llama "canal". Los ingenieros hacen el canal a partir del material semiconductor de tipo p o del material semiconductor de tipo n. Mediante la variación de la tensión enviada a la puerta, los ingenieros pueden controlar la corriente que fluye a través del canal. Para el transistor de efecto de campo de unión, la tensión de la puerta no debe ser positiva para ese canal n o la corriente fluirá a las puertas y no a la fuga, dañando el dispositivo.

Unión PN de polarización inversa

Cuando el canal del semiconductor de tipo n tiene una región de tipo p se llama "puerta" difundida en aquel canal n, se forma una unión pn de polarización inversa. La unión pn de polarización inversa es cuando el lado p del transistor se vuelve más negativo, con el movimiento de los electrones hacia arriba y el aumento de la energía de los electrones. Esto forma la región de agotamiento, que es cuando un campo eléctrico obliga a los portadores de carga móviles a alejarse. Los portadores de carga son partículas que transportan cargas eléctricas y no están unidas a nada. Estos efectos se producen cuando el ingeniero no aplica tensión externa al transistor de efecto de campo.

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