Diferencias entre los transistores JFET y MOSFET

Escrito por warren rachele | Traducido por juan manuel rodriguez
  • Comparte
  • Twittea
  • Comparte
  • Pin
  • E-mail
Diferencias entre los transistores JFET y MOSFET
Los transistores de efecto de campo hacen posibles los modernos circuitos integrados. (transistors image by Claudio Calcagno from Fotolia.com)

La baja tensión y mínima generación de calor de los FET (FET, del inglés field effect transistors), o transistores de efecto de campo, los hace componentes atractivos para la miniaturización y ajustados para circuitos integrados. Existen dos formas básicas del transistor FET, el JFET y el MOSFET. Cada tipo de dispositivo es útil en una amplia gama de circuitos, desplazando a menudo a diseños de transistores bipolares más antiguos.

Otras personas están leyendo

Diseño de JFET y MOSFET

Tanto el JFET (JFET, del inglés junction field effect transistor), o transistor de efecto de campo de juntura, como el MOSFET (MOSFET, del inglés metal oxide semiconductor field effect transistor), o transistor de efecto de campo de óxido metálico semiconductor, comparten un diseño común de base unipolar. La tensión se lleva a través de un canal conductor desde la fuente y uniones de drenaje. La resistencia a esta corriente varía en función de la entrada de tensión en el terminal de la compuerta. La compuerta del MOSFET está aislada del material del canal por una capa de dióxido de silicio, que le permite funcionar tanto en el modo de agotamiento como en el de enriquecimiento.

Tipo de canal

El diseño del JFET limita su canal de ser utilizado en un modo de agotamiento único. Un canal de agotamiento aumenta la resistencia en respuesta a la tensión detectada en la compuerta principal. El canal de un MOSFET puede ser fabricado tanto en la forma de agotamiento como en la de enriquecimiento. El canal de un MOSFET de tipo incremental se vuelve menos resistente a medida que se aplica tensión a la compuerta. Ambos transistores están disponibles en las configuraciones del canal-n y canal p.

Flujo de corriente

La configuración básica de los dos tipos de transistores muestra una diferencia fundamental con respecto al flujo de corriente a través del canal. Un JFET está normalmente encendido, es decir, permite que la corriente fluya libremente entre los terminales de fuente y drenaje cuando no hay entrada de tensión en la compuerta. El agotamiento aumenta la resistencia en este canal hasta que la puerta llegue a la "pizca" de tensión, que cierra el canal. Un dispositivo MOSFET de tipo de agotamiento es también un canal normalmente encendido. El MOSFET del tipo de enriquecimiento es normalmente un canal apagado. La tensión en la compuerta de este tipo de dispositivo reduce la resistencia a través de este canal que permite que la corriente fluya.

Impedancia

La impedancia de entrada JFET es alta, lo que significa que el dispositivo drenará poca o ninguna corriente desde el circuito al que está unido. No hay corriente indeseada que ingrese en el circuito desde el dispositivo, haciendo que esta sea útil en una amplia gama de diseños de circuitos. El diseño MOSFET tiene una impedancia aún mayor que el JFET. El precio por esta característica es que el dispositivo MOSFET es más susceptible a daños por una acumulación de electricidad estática.

No dejes de ver

Filtrar por:
  • Mostrar todos
  • Artículos
  • Galerías de fotos
  • Videos
Ordenar:
  • Más relevante
  • Más popular
  • Más reciente

No se encuentran artículos disponibles

No se encuentran slideshows disponibles

No se encuentran videos disponibles